LED固晶机从芯片的演变进程中发现，各大LED出产商在上游技能上不断改善，如运用不同的电极规划操控电流密度，运用ITO薄膜技能令通过LED的电流能均匀分布等，使在结构上都尽可能产生较多的。再运用各种不同办法去抽出LED宣告的每一粒光子，如出产不同外形的芯片；运用芯片周边有效地操控光折射度行进LED取率，研制扩展单一芯片外表规范（>2mm2）添加发光面积，更有运用粗糙的外表添加光线的透出等等。

  有一些高亮度LED芯片上p-n两个电极的方位相距拉近，令芯片发光功率及散热才华行进。而较近已有的出产，便是运用新改善的溶解（Laserlift-o）及金属黏合技能（metalbonding），将LED磊晶晶圆从GaAs或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮忙大功率LED行进取光功率及散热才华。　

  封装规划

  通过多年的打开，笔直（φ3mm、φ5mm）和SMD灯（外表贴装LED）已演变成一种规范产品形式。但随着芯片的打开及需求，开荒出切合大功率的封装产品规划，为了运用自动化拼装技能下降制造本钱，大功率的SMD灯亦应运而生。并且，在可携式消费产品商场急速的带动下，大功率LED封装体积规划也越小越薄以供给更阔的产品规划空间。　

  为了坚持制品在封装后的光亮度，新改善的大功率SMD器材内加有杯形反射面，有助把全部的光线能一致地反射出封装外以添加输出。而盖住LED上圆形的，用料上更改用以Silone封胶，替代以往在环氧树脂（Epoxy），使封装能坚持必定的耐用性。

  封装工艺及计划　

  封装之首要目的是为了保证半导体芯片和底层电路间之正确电气和机械性的互相接续，及维护芯片不让其遭到机械、热、湿润及其它种种的外来冲击。选择封装办法、资料和运用机台时，须考虑到LED磊晶的外形、电气/机械特性和固晶精度等要素。因LED有其光学特性，封装时也须考虑和保证其在光学特性上能够满意。

  无论是笔直LED或SMD封装，都必须选择一部高精度的固晶机，因LED晶粒放入封装的方位精准与否是直接影响整件封装器材发光效能。若晶粒在反射杯内的方位有所差错，光线未能彻底反射出来，影响制品的光亮度。但若一部固晶机具有先进的预先图画辨识体系（PRSystem），虽然质量参差的引线结构，仍能精准地焊接于反射杯内预订之方位上。

  一般低功率LED器材（如指示设备和手机键盘的照明）首要是以银浆固晶，但因为银浆自身不能抵受高温，在行进亮度的一同，发热现象也会产生，因而影响产品。要获得高质量高功率的LED,新的固晶工艺随之而打开出来，其间一种便是运用共晶焊接技能，先将晶粒焊接于一散热基板（soubmount）或热沉（heatsink）上，然后把整件晶粒连散热基板再焊接于封装器材上，这样就可增强器材散热才华，令发相对地添加。至于基板资料方面，硅（Silicon）、铜（Copper）及陶瓷（Ceramic）等都是一般常用的散热基板物料。

  共晶焊接

  技能较关键是共晶资料的选择及焊接温度的操控。新一代的InGaN高亮度LED,如选用共晶焊接，晶粒底部能够选用纯锡（Sn）或金锡（Au-Sn）合金作接触面镀层，晶粒可焊接于镀有金或银的基板上。当基板被加热至适宜的共晶温度时，金或银元素渗透到金锡合金层，合金层成份的改动行进溶点，令共晶层固化并将LED紧固的焊于热沉或基板上。　

  选择共晶温度视乎晶粒、基板及器材资料耐热程度及往后SMT回焊制程时的温度要求。考虑共晶固晶机台时，除高方位精度外，另一重要条件便是有灵敏并且安稳的温度操控，加有氮气或混合气体设备，有助于在共晶过程中作防氧化维护。当然和银浆固晶相同，要达至高精度的固晶，有赖于慎重的机械规划及高精度的马达运动，才华令焊头运动和焊力操控适可而止之余，亦无损高产能及高良品率的要求。

  进行共晶焊接工艺时亦可加入助焊剂，这技能较大的特点是无须额定附加焊力，故此不会因固晶焊力过大而令过多的共晶合金溢出，减低LED产生短路的机会。

  覆晶（FlipChip）焊接

  覆晶焊接近年被积极地运用于大功率LED制程中，覆晶办法把GaNLED晶粒倒接合于散热基板上，因没有了金线焊垫阻碍，对行进亮度有必定的帮忙。因为电流流转的间隔缩短，电阻减低，所以热的产生也相对下降。一同这样的接合亦能有效地将热转至下一层的散热基板再转到器材外面去。当此工艺被运用在，不但行进光输出，更能够使产品全体面积缩小，扩展产品的运用商场。

  覆晶LED技能打开上有两个首要的计划：一是铅锡球焊（Solderbumpreflow）技能；另一个是热超声（Thermosonic）焊接技能。

  铅锡球焊接已在IC封装运用多时，工艺技能亦已老练，故在此不再胪陈。针对低本钱及低线数器材的出产，热超声覆晶（Thermosonicflipchip）技能特别适用于大功率LED焊接。以金做焊接的，因为金此物自身熔点温度较铅锡球和银浆高，对固晶后的制程规划方面更有弹性。

  此外，还有无铅制程、工序简略、金属接位可靠等利益。热超声覆晶工艺通过多年的研讨及履历累积，已掌握较优化的制程参数，并且在几大LED出产商已成功地投入量产。足出产线运用外，其他许多的（如芯片粘片机、引线焊接机、机、编带机）等自动化设备还全都依靠进口。